| 品牌：原厂 | 型号：IRFR220NTRPBF,IRFR3505TRPBF | 封装：标准 |
| 批号：新 | FET类型：N沟道 |
明佳达优势供应IRFR220NTRPBF,IRFR3505TRPBF 场效应管，全新原装，量大***，期待您的来电咨询。
IRFR220NTRPBF 规格信息
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：***（Tc）
驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）：600 毫欧 @ 2.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（值）：4V @ 250?A
Vgs（值）：±20V
FET 功能：-
漏源电压（Vdss）：200 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）：23 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）：300 pF @ 25 V
功率耗散（值）：43W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：D-Pak
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
IRFR3505TRPBF 规格信息
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc）
驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）：13 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（值）：4V @ 250?A
Vgs（值）：±20V
FET 功能：-
漏源电压（Vdss）：55 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）：93 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）：2030 pF @ 25 V
功率耗散（值）：140W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：D-Pak
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
