| 品牌：原厂 | 型号：FDS8880 | 类型：其他IC |
| 封装：QFN | 功率：标准 |
明佳达出售FDS8880，FM1188 等分立半导体产品，全新原装，价格优势，实单如有接受价欢迎找客服详谈。
FDS8880 场效应管
规格
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.6A（Ta）
驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）:10 毫欧 @ 11.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（值）:2.5V @ 250?A
Vgs（值）:±20V
FET 功能:-
漏源电压（Vdss）:30 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）:30 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）:1235 pF @ 15 V
功率耗散（值）:2.5W（Ta）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:8-SOIC
封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
仅供参考，我们只出售芯片，不提供任何技术支持。
