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  • 集成电路(IC),N沟道MOSFET,P沟道MOSFET,功率晶体管

联系方式

  • 联系人:
    陈先生
  • 职   位:
    经理
  • 地   址:
    广东 深圳 福田区 振中路新亚洲国利大厦1239-1241
品牌:原厂型号:IR21844类型:其他IC
封装:QFN功率:标准

明佳达供应IR21814,IR2181,IR21844 库存货源,全新原装,量大***,如有实单欢迎来电详谈。

产品规格

驱动配置:半桥

驱动器数:2

通道类型:独立式

栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET

高压侧电压 - 值(自举):600 V

电压 - 供电:10V ~ 20V

逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.7V

电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.9A,2.3A

输入类型:非反相

上升/下降时间(典型值):40ns,20ns

工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:14-DIP(0.300",7.62mm)

供应商器件封装:14-DIP


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