明佳达优势供应IRFH7936，IRFI4019 电子元器件，期待您的来电咨询。

IRFH7936 全新MOS管

产品规格

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Ta），54A（Tc）

驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）:4.8 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（值）:2.35V @ 50?A

Vgs（值）:±20V

FET 功能:-

漏源电压（Vdss）:30 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）:26 nC @ 4.5 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）:2360 pF @ 15 V

功率耗散（值）:3.1W（Ta）

工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:8-PQFN（5x6）

封装/外壳:8-PowerTDFN

IRFI4019  2 N-通道（双） MOS管

中文规格

FET 类型:2 N-通道（双）

FET 功能:标准

漏源电压（Vdss）:150V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）:95 毫欧 @ 5.2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（值）:4.9V @ 50?A

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）:20nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）:810pF @ 25V

功率 - 值:18W

工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-5 整包

供应商器件封装:TO-220-5 整包