功率半导体产品STD11NM60，STMPS2141，明佳达优势库存货源。支持实单议价，如有接受价欢迎来电详谈。

STD11NM60 场效应管

规格

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Tc）

驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）：450 毫欧 @ ***，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（值）：5V @ 250?A

Vgs（值）：±25V

FET 功能：-

漏源电压（Vdss）：600 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）：30 nC @ 10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）：850 pF @ 50 V

功率耗散（值）：90W（Tc）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：DPAK

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

STMPS2141 负载驱动器

规格

开关类型：通用

输出数：1

比率 - 输入:输出：1：1

输出配置：高端

输出类型：N 通道

接口：开/关

电压 - 负载：2.7V ~ 5.5V

电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：不需要

电流 - 输出（值）：500mA

导通电阻（典型值）：110 毫欧

输入类型：非反相

特性：-

故障保护：限流（固定），超温，反向电流，UVLO

工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：8-MSOP

封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）