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CSD86350Q5D 功率MOSFET模块

CSD86350Q5D 功率MOSFET模块

全新原装,量大***。

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    陈先生
  • 职   位:
    经理
  • 地   址:
    广东 深圳 福田区 振中路新亚洲国利大厦1239-1241
品牌:原厂型号:CSD86350Q5D类型:其他IC
封装:SON-8功率:标准

明佳达电子优势供应CSD86350Q5D 功率MOSFET模块,期待您的来电询价。

产品规格

FET 类型:2 个 N 通道(半桥)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(值):6 毫欧 @ 20A,8V

不同 Id 时 Vgs(th)(值):2.1V @ 250?A

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值):10.7nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值):1870pF @ 12.5V

功率 - 值:13W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:8-PowerLDFN

供应商器件封装:8-LSON(5x6)


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