| 品牌：原厂 | 型号：SIR470DP | 封装：标准 |
| 批号：新 | FET类型：N沟道 |
N沟道 SIR470DP 场效应管 全新原装，明佳达电子优势库存货源，支持实单议价。
规格信息
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc）
驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）：2.3 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（值）：2.5V @ 250?A
Vgs（值）：±20V
FET 功能：-
漏源电压（Vdss）：40 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）：155 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）：5660 pF @ 20 V
功率耗散（值）：6.25W（Ta），104W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PowerPAK? SO-8
封装/外壳：PowerPAK? SO-8
