供应 SIR492DP，SI7810DN 全新MOS管详细介绍

明佳达电子优势供应 SIR492DP，SI7810DN 全新MOS管，全新原装，产品量大***，如有接受价请找客服详谈。

SIR492DP 产品规格

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Tc）

驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）：3.8 毫欧 @ 15A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（值）：1V @ 250?A

Vgs（值）：±8V

FET 功能：-

漏源电压（Vdss）：12 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）：110 nC @ 8 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）：3720 pF @ 6 V

功率耗散（值）：4.2W（Ta），36W（Tc）

工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PowerPAK? SO-8

封装/外壳：PowerPAK? SO-8

SI7810DN 全新MOS管

产品信息

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.4A（Ta）

驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）：62 毫欧 @ 5.4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（值）：4.5V @ 250?A

Vgs（值）：±20V

FET 功能：-

漏源电压（Vdss）：100 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）：17 nC @ 10 V

功率耗散（值）：1.5W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PowerPAK? 1212-8

封装/外壳：PowerPAK? 1212-8