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全新 射频晶体管 MRFE6VP5600H

全新 射频晶体管 MRFE6VP5600H

明佳达电子优势供应全新射频晶体管MRFE6VP5600H

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  • 发货地:广东 深圳
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  • 供货总量: 3000PCS
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  • 集成电路(IC),N沟道MOSFET,P沟道MOSFET,功率晶体管

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    陈先生
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    经理
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  • 地   址:
    广东 深圳 福田区 振中路新亚洲国利大厦1239-1241
品牌:原厂型号:MRFE6VP5600H类型:其他IC
用途:RF功放模封装:标准功率:标准

全新 射频晶体管 MRFE6VP5600H详细介绍

明佳达电子优势供应全新 射频晶体管 MRFE6VP5600H ,支持实单议价,如有接受价请找客服人员详谈。

产品信息

晶体管类型:LDMOS(双)

频率:230MHz

增益:25dB

额定电流(安培):-

噪声系数:-

功率 - 输出:600W

封装/外壳:NI-1230-4H

供应商器件封装:NI-1230-4H

电压 - 测试:50 V

电流 - 测试:100 mA

电压 - 额定:130 V


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