| 品牌：原厂 | 型号：SI4390DY，SI4116DY | 封装：标准 |
| 批号：新 | FET类型：N沟道 |
明佳达电子出售场效应管 SI4390DY，SI4116DY 全新原装，价格优势，期待您的来电咨询。
SI4390DY 场效应管
中文规格
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.***（Ta）
驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）：9.5 毫欧 @ 12.***，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（值）：2.8V @ 250?A
Vgs（值）：±20V
FET 功能：-
漏源电压（Vdss）：30 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）：15 nC @ 4.5 V
功率耗散（值）：1.4W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-SO
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SI4116DY 场效应MOS管
芯片规格
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：18A（Tc）
驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）：8.6 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（值）：1.4V @ 250?A
Vgs（值）：±12V
FET 功能：-
漏源电压（Vdss）：25 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）：56 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）：1925 pF @ 15 V
功率耗散（值）：2.5W（Ta），5W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-SO
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
