| 品牌：原厂 | 型号：SI7858ADP，SI4894BDY | 封装：标准 |
| 批号：新 | FET类型：N沟道 |
明佳达供应SI7858ADP，SI4894BDY 分立半导体产品，全新原装，价格优势，实单如有接受价欢迎来电咨询。
SI7858ADP 场效应管
规格信息
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Ta）
驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）：2.6 毫欧 @ 29A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（值）：1.5V @ 250?A
Vgs（值）：±8V
FET 功能：-
漏源电压（Vdss）：12 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）：80 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）：5700 pF @ 6 V
功率耗散（值）：1.9W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PowerPAK? SO-8
封装/外壳：PowerPAK? SO-8
SI4894BDY 全新MOS管
规格信息
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.9A（Ta）
驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）：11 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（值）：3V @ 250?A
Vgs（值）：±20V
FET 功能：-
漏源电压（Vdss）：30 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）：38 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）：1580 pF @ 15 V
功率耗散（值）：1.4W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-SOIC
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
