| 品牌：原厂 | 型号：SI4876DY，SIR492DP | 封装：标准 |
| 批号：新 | FET类型：N沟道 |
明佳达电子优势出售SI4876DY，SIR492DP 场效应MOS管，产品量大***，有意者请找客服人员询价。
SI4876DY 产品规格
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Ta）
驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）：5 毫欧 @ 21A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（值）：600mV @ 250?A（最小）
Vgs（值）：±12V
FET 功能：-
漏源电压（Vdss）：20 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）：80 nC @ 4.5 V
功率耗散（值）：1.6W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-SO
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
场效应管 SIR492DP
中文规格
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Tc）
驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）：3.8 毫欧 @ 1***，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（值）：1V @ 250?A
Vgs（值）：±8V
FET 功能：-
漏源电压（Vdss）：12 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）：110 nC @ 8 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）：3720 pF @ 6 V
功率耗散（值）：4.2W（Ta），36W（Tc）
工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PowerPAK? SO-8
封装/外壳：PowerPAK? SO-8
