| 品牌：原厂 | 型号：FDC602P | 封装：标准 |
| 批号：新 | FET类型：P沟道 |
明佳达电子优势出售 P沟道 FDC602P 场效应管，只做原装，实单有接受价请找客服人员详谈，价格请以当天咨询为准。
规格信息
FET 类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.***（Ta）
驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）：35 毫欧 @ 5.***，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（值）：1.5V @ 250?A
Vgs（值）：±12V
FET 功能：-
漏源电压（Vdss）：20 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）：20 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）：1456 pF @ 10 V
功率耗散（值）：1.6W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：SuperSOT?-6
封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
