| 品牌：原厂 | 型号：FDC638P | 类型：其他IC |
| 用途：FDC638P | 封装：SOT-23 | 功率：标准 |
明佳达供应 FDC638P 晶体管产品，量大***，期待您的来电咨询。
产品规格
FET 类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.***（Ta）
驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）：48 毫欧 @ 4.***，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（值）：1.5V @ 250?A
Vgs（值）：±8V
FET 功能：-
漏源电压（Vdss）：20 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）：14 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）：1160 pF @ 10 V
功率耗散（值）：1.6W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：SuperSOT?-6
封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
